#800V和碳化硅SiC科普1#
今天说说碳化硅SiC。
上次的博文中有一些地方说的太绝对了，经过大佬的指点，我更正一下。

无论是400V系统还是800V系统，有选择硅基功率半导体的，也有选择碳化硅功率半导体的。
就我接触过的项目，400V系统我接触过用硅基IGBT半导体，也有用碳化硅的; 但是800V系统的，只接触过用碳化硅方案的。

如图1，相比硅基IGBT半导体，碳化硅半导体拥有更高的临界雪崩击穿场强（3×106V/cm）、更好的导热性能（49W/mK）和更宽的禁带（3.26eV）。

▶禁带越宽，漏电流也就越小，效率也越高
▶导热性能越好，则电流密度就越高
▶临界雪崩击穿场越强，则可以提升器件的耐压性能
▶电场强度是硅的15倍，导通阻抗低，导通能耗降低；

简而言之，800V系统中作用碳化硅SiC功率半导体就是损耗低，效率高。

所以为啥说上800V系统后续航更扎实，能耗更低，这里面有这方面原因的。